[发明专利]一种晶圆的保护结构及保护方法在审
申请号: | 201911053753.8 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110783264A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 邓朋;徐猛;罗辉 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨华 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆的保护结构及保护方法,包括:提供待保护晶圆,晶圆包括多个芯片单元,芯片单元在晶圆的第一表面设置有多个金属衬垫,晶圆的第二表面具有多个通孔,第二表面和第一表面相对设置,通孔与金属衬垫对应设置,且通孔暴露出金属衬垫朝向第二表面一侧的表面;在晶圆的第二表面上形成隔绝膜,隔绝膜至少覆盖在金属衬垫朝向第二表面一侧的表面。在形成暴露出金属衬垫的通孔之后,在形成金属布线层之前,在晶圆的第二表面上形成隔绝膜,由于隔绝膜可以将金属衬垫与环境中的强腐蚀性离子和水隔绝,因此,可以避免金属衬垫被环境中的强腐蚀性离子和水腐蚀,从而消除或减少了金属衬垫中的晶体缺陷,进而可以提升晶圆的良率和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 金属衬垫 晶圆 第二表面 隔绝膜 通孔 第一表面 强腐蚀性 芯片单元 离子 金属布线层 保护结构 晶体缺陷 相对设置 水腐蚀 暴露 良率 种晶 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆的保护方法,其特征在于,包括:/n提供待保护晶圆,所述晶圆包括多个芯片单元,所述芯片单元在所述晶圆的第一表面设置有多个金属衬垫,所述晶圆的第二表面具有多个通孔,所述第二表面和所述第一表面相对设置,所述通孔与所述金属衬垫对应设置,且所述通孔暴露出所述金属衬垫朝向所述第二表面一侧的表面;/n在所述晶圆的第二表面上形成隔绝膜,所述隔绝膜至少覆盖在所述金属衬垫朝向所述第二表面一侧的表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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