[发明专利]一种像素电极结构在审
| 申请号： | 201911036519.4 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110703517A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 曹武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种像素电极结构，包括主像素电极和次像素电极，所述主像素电极中的第一横边框与第一竖边框之间设有第一切断口，第一横边框与第二竖边框之间设有第二切断口，所述次像素电极中的第二横边框与第三竖边框之间设有第三切断口，第二横边框与第四竖边框之间设有第四切断口；通过改变8Domain主像素边框和次像素边框的结构，将主像素边框和次像素边框的各拐角处均做断开的结构处理，改善了在8Domain像素电极阵列中，上下两相邻8Domain像素电极之间在各子主像素边框拐角处或次像素边框拐角处的配向暗纹，提高了液晶效率，从而提高了显示面板的穿透率。 | ||
| 搜索关键词： | 边框 横边框 竖边框 次像素 切断口 主像素 次像素电极 主像素电极 边框拐角 像素电极结构 像素电极阵列 结构处理 显示面板 像素电极 液晶效率 穿透率 拐角处 暗纹 断开 断口 配向 | ||
【主权项】：
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括主像素电极和次像素电极；/n所述主像素电极包括主像素边框，所述主像素边框包括位于所述主像素电极内远离所述次像素电极一侧的第一横边框、及分别位于所述第一横边框两端向所述次像素电极方向延伸的第一竖边框和第二竖边框，所述第一横边框与所述第一竖边框之间设有第一切断口，所述第一横边框与所述第二竖边框之间设有第二切断口；/n所述次像素电极包括次像素边框，所述次像素边框包括位于所述次像素电极内远离所述主像素电极一侧的第二横边框、及分别位于所述第二横边框两端向所述主像素电极方向延伸的第三竖边框和第四竖边框，所述第二横边框与所述第三竖边框之间设有第三切断口，所述第二横边框与所述第四竖边框之间设有第四切断口。/n
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