[发明专利]一种集成周期陷光结构的MSM光电探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201911033824.8 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752268B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 苟君;谢哲远;王军;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中MSM光电探测器的制备方法为：在衬底基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备形成若干叉指电极；在每一对叉指电极之间沿半导体薄膜纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层，得到高速高效率MSM光电探测器。该制备方法通过在每一对电极之间的半导体薄膜中集成周期性陷光结构，使探测器同时具有较大的陷光结构周期和较小的电极间距，在保证MSM光电探测器的响应速率的同时，有效提高探测器的光探测效率，本发明用于可见光与红外探测与成像技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 周期 结构 msm 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：在衬底基片(10)上制备半导体薄膜(20)；/n步骤2：在所述半导体薄膜(20)上制备形成若干叉指电极(30)；/n步骤3：在每一对叉指电极(30)之间沿半导体薄膜(20)纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构(40)，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层(20)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
