[发明专利]激励熔断器辅助灭弧结构在审
| 申请号： | 201911027232.5 | 申请日： | 2019-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN110571113A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 段少波;戈西斌;石晓光 | 申请（专利权）人： | 西安中熔电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/38 | 分类号： | H01H85/38 |
| 代理公司： | 61259 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区锦业路69*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种激励熔断器辅助灭弧结构，包括上壳体和下壳体，及设置在上壳体与下壳体之间的导电板；在所述上壳体的容置腔中自上而下设置有电子点火爆炸装置和活塞；在所述下壳体上设置有供导电板断开后掉落的容置腔；其特征在于在所述活塞、所述导电板上或所述下壳体的容置腔的底部单独或至少两个部件同时设置有辅助灭弧装置。该辅助灭弧结构可提高激励熔断器分断能力，提高工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 下壳体 导电板 容置腔 上壳体 活塞 辅助灭弧 熔断器 辅助灭弧装置 工作可靠性 爆炸装置 电子点火 分断能力 掉落 断开 | ||
【主权项】：
1.一种激励熔断器辅助灭弧结构，包括上壳体和下壳体，及设置在上壳体与下壳体之间的导电板；在所述上壳体的容置腔中自上而下设置有电子点火爆炸装置和活塞；在所述下壳体上设置有供导电板断开后掉落的容置腔；其特征在于在所述活塞、所述导电板上或所述下壳体的容置腔的底部单独或至少两个部件同时设置有辅助灭弧装置。/n
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