[发明专利]激励熔断器辅助灭弧结构

权利要求书

1.一种激励熔断器辅助灭弧结构，包括上壳体和下壳体，及设置在上壳体与下壳体之间的导电板；在所述上壳体的容置腔中自上而下设置有电子点火爆炸装置和活塞；在所述下壳体上设置有供导电板断开后掉落的容置腔；其特征在于在所述活塞、所述导电板上或所述下壳体的容置腔的底部单独或至少两个部件同时设置有辅助灭弧装置。

2.根据权利要求1所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于所述活塞包括活塞本体和位于活塞本体下面的刀状结构；在所述活塞本体的上面或所述刀状结构与导电板接触的两侧面分别设置有所述辅助灭弧装置。

3.根据权利要求2所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于设置在所述活塞本体上面的辅助灭弧装置为在所述活塞本体上面自上而下设置的磁北极和磁南极；所述磁北极和磁南极可形成扰动电弧，使电弧远离、拉长并冷却的磁场。

4.根据权利要求2所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于所述刀状结构上的辅助灭弧装置为设置在刀状结构两侧面的隔弧片。

5.根据权利要求2所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于在所述导电板上开设有断裂凹口，所述辅助灭弧装置为涂布在所述断裂凹口处的灭弧涂料或胶体。

6.根据权利要求1所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于在位于上壳体及下壳体的容置腔处的导电板上设置有辅助灭弧装置，所述辅助灭弧装置为扰弧片。

7.根据权利要求1所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于在位于上壳体及下壳体的容置腔处的导电板的上下面分别设置有至少一层扰弧片；所述扰弧片一端牢固固定在所述导电板上，另一端以较小结合力固定在所述导电板上。

8.根据权利要求1所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于所述辅助灭弧装置设置在所述下壳体上的容置腔底部；当所述导电板断裂后，沿固定端旋转断开的导电板可与所述辅助灭弧装置接触。

9.根据权利要求8所述的激励熔断器辅助灭弧结构，其特征在于所述辅助灭弧装置包括设置在所述容置腔底部的灭弧液体物质或灭弧固体物质；所述灭弧液体物质或灭弧固体物质通过密封膜密封在所述容置腔底部。