[发明专利]基于石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911026283.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110993720B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 张晗;高姗;王慧德;郭志男 | 申请（专利权）人： | 深圳瀚光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器，包括基底、第一电极、第二电极、第一石墨烯层、黑磷薄膜层、二硫化钼层和第二石墨烯层，第一电极和第二电极间隔设置在基底的一侧表面，第一电极和第二电极之间形成沟道结构，第一石墨烯层、黑磷薄膜层、二硫化钼层和第二石墨烯层依次层叠设置在沟道结构内，第一电极和第二电极分别与第一石墨烯层和第二石墨烯层接触连接。本发明提供的光电探测器中设置有石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结，可以实现宽波段响应，并且光电探测器的响应速度得到了显著提高，响应速度可以达到微秒级，有利于光电探测器的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 黑磷 二硫化钼 烯异质结 快速 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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