[发明专利]石墨烯薄膜晶体管、其制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 201911015463.4 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110707216B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 卢珂鑫;刘兆平 | 申请（专利权）人： | 宁波石墨烯创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/00;H10K99/00;H10K71/00;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘兰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种石墨烯薄膜晶体管、其制备方法及显示装置，属于电子和光电子显示技术领域。石墨烯薄膜晶体管，包括：基板、源漏极层、第一有源层、第二有源层、栅极绝缘层和栅极层。源漏极层包括源极层和漏极层，源极层和漏极层均位于基板的一表面上。第一有源层为石墨烯层，第一有源层位于基板的未被源极层和漏极层覆盖的表面上。第二有源层为有机半导体层，第二有源层位于石墨烯层、源极层和漏极层上。石墨烯薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在第一有源层、源极层和漏极层的表面设置固态有机半导体材料，加热基板使固态有机半导体材料熔化，冷却基板形成第二有源层。此制备方法得到的石墨烯薄膜晶体管具有两层有源层，电学性能更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 薄膜晶体管 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将石墨烯层转移至基板的上表面，图案化所述石墨烯层得到第一有源层；/n在所述基板的所述上表面的未被所述第一有源层覆盖的部位形成源极层和漏极层；/n在所述第一有源层、所述源极层和所述漏极层的表面设置固态有机半导体材料，加热所述基板使所述固态有机半导体材料熔化，冷却所述基板形成第二有源层；/n在所述第二有源层的表面形成栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层的表面形成栅极层。/n
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