[发明专利]一种基准电压产生装置有效
| 申请号： | 201911008380.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110673687B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 沈夏童;余凯;李思臻;章国豪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 沈闯 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基准电压产生装置，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别与电压源电连接，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极电连接，第二MOS管的栅极并与第二MOS管的漏极连接，组成电流镜结构；第一MOS管的漏极分别与第三MOS管的栅极、漏极以及第四MOS管的栅极电连接；第三MOS管的源极和第四MOS管的漏极相连，并与第六MOS管的栅极电连接，且第四MOS管的阈值电压大于第三MOS管的阈值电压；第二MOS管的漏极与第五MOS管的栅极、漏极以及第六MOS管的栅极电连接；第六MOS管的漏极和第五MOS管的源极相连，并与输出端口电连接，且第六MOS管的阈值电压大于第五MOS管的阈值电压。通过本申请提供的电路结构，解决了现有的基准电压产生装置结构复杂导致的制作成本高的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 产生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基准电压产生装置，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；/n所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极分别与电压源电连接，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极电连接，所述第二MOS管的栅极并与所述第二MOS管的漏极连接，组成电流镜结构；/n所述第一MOS管的漏极分别与所述第三MOS管的栅极、漏极以及所述第四MOS管的栅极电连接；/n所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的漏极相连，并与所述第六MOS管的栅极电连接，且所述第四MOS管的阈值电压大于所述第三MOS管的阈值电压；/n所述第二MOS管的漏极与所述第五MOS管的栅极、漏极以及所述第六MOS管的栅极电连接；/n所述第六MOS管的漏极和所述第五MOS管的源极相连，并与输出端口电连接，且所述第六MOS管的阈值电压大于所述第五MOS管的阈值电压。/n
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