[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911004925.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112310215B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周晓飞;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强型高电子迁移率晶体管元件及其制造方法。所述增强型高电子迁移率晶体管元件包括依序配置于一基板上的一通道层、一阻挡层、一反极化层、一低温氮化铝层与一P型氮化镓层以及一栅极、一源极与一漏极。栅极配置于P型氮化镓层上，源极与漏极则配置于栅极两侧的低温氮化铝层上。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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