[发明专利]单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910993639.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110798160A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;刘炎;蔡耀;徐沁文;邹杨 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03H9/54;H03H9/17;H03H9/10 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 刘琰 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构及制备方法，该结构中：功率放大器设置在硅衬底的上表面；体声波滤波器设置在硅衬底的下表面，包括串联谐振器、并联谐振器；通过硅通孔技术将体声波滤波器的电极引出至硅衬底的上表面，实现功率放大器与体声波滤波器的电气互联；封装盖帽分别设置在硅衬底的上下两面，通过共晶键合技术对两个封装盖帽分别进行封装，在硅衬底的上下两面均形成空腔，上表面的空腔中容纳功率放大器，下表面的空腔中容纳体声波滤波器，实现器件的集成封装。本发明提出的结构有效的节省了射频前端的面积和体积，减少了射频前端制作的成本，有助于射频系统的高度集成化和模块化。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 体声波滤波器 功率放大器 上表面 空腔 封装 射频前端 下表面 盖帽 功率放大器设置 并联谐振器 串联谐振器 声波滤波器 单片集成 高度集成 共晶键合 集成封装 射频系统 芯片结构 电极 硅通孔 面积和 模块化 容纳体 制备 互联 容纳 制作 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构，其特征在于，包括：硅衬底(106)、功率放大器(101)、体声波滤波器、封装盖帽；其中：/n功率放大器(101)设置在硅衬底(106)的上表面；体声波滤波器设置在硅衬底(106)的下表面，包括串联谐振器(211)、并联谐振器(212)；通过硅通孔技术将体声波滤波器的电极引出至硅衬底(106)的上表面，实现功率放大器(101)与体声波滤波器的电气互联；/n封装盖帽分别设置在硅衬底(106)的上下两面，通过共晶键合技术对两个封装盖帽分别进行封装，在硅衬底(106)的上下两面均形成空腔，上表面的空腔中容纳功率放大器(101)，下表面的空腔中容纳体声波滤波器，实现器件的集成封装。/n
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