[发明专利]一种半导体器件测试方法及系统在审
| 申请号： | 201910985227.9 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110531243A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 安博;吴海雷;刘畅 | 申请（专利权）人： | 启发(天津)电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/26 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件测试方法及系统，进行半导体器件测试时通过频率小于1Khz的激励信号对待测半导体器件进行低频电容‑电压测试，测得低频电容值；通过频率大于1KHz的激励信号对待测半导体器件进行高频电容‑电压测试，测得高频电容值；利用所述低频电容值和所述高频电容值计算出损耗因数曲线。本发明实施例提出的测试方法及系统将电容‑电压测试分为低频部分和高频部分，利用测试得到的低频电容值和高频电容值计算出损耗因数曲线，其中利用小于1Khz的激励信号对待测半导体器件进行低频电容‑电压测试，提高了损耗因数曲线测试精度。 | ||
| 搜索关键词： | 低频电容 电压测试 高频电容 半导体器件 激励信号 损耗因数 半导体器件测试 测试方法及系统 曲线测试 电容 测试 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件测试方法，其特征在于：/n通过频率小于1Khz的激励信号对待测半导体器件进行低频电容-电压测试，测得低频电容值；/n通过频率大于1KHz的激励信号对待测半导体器件进行高频电容-电压测试，测得高频电容值；/n利用所述低频电容值和所述高频电容值计算出损耗因数曲线。/n
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