[发明专利]一种N-GQDs修饰的3DOM In2

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，公开一种N‑GQDs修饰的3DOM In2O3复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料由3DOM In2O3及其均匀地负载在其表面和孔道内部的N‑GQDs组成。将N‑GQDs分散在水中，加入3DOM In2O3，N2鼓泡1~3 h，然后将混合物控温在150~180℃水热反应4~8 h，自然冷却至室温，最后真空干燥，即得N‑GQDs修饰的3DOM In2O3复合材料。所述复合材料在NO2气体传感器中作为气敏材料的应用。本发明通过使用N‑GQDs修饰的3DOM In2O3，有效地克服了二维石墨烯无法进入3DOM In2O3孔道内部，从而无法构成有效异质结的问题，具有好的重复性、选择性、长期稳定性以及短的响应恢复时间，能够实现100 ppb的实际检测浓度，可用于超低浓度下的NO2含量检测。

主权项

1.一种N-GQDs修饰的3DOM In