[发明专利]一种修复PERC太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法有效
| 申请号： | 201910982137.4 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110739366B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沈永臻;楼秀群;徐义兰;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种修复PERC太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法，其在背面开槽之后，将硅片置入热处理设备，所述热处理设备包括高温激活区和低温修复区，所述硅片在高温激活区内进行高温热退火处理，以增加硅基底的整体晶格热运动；然后在低温修复区内进行低温热退火处理，以使硅基底重结晶。基底硅在经过高温激活‑低温重结晶的过程后使得基底硅激光损伤区得到明显的修复，从而减少由于激光损伤造成的复合损失，增加了开路电压Voc，进而提高PERC太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 perc 太阳能电池 激光 开槽 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种修复PERC太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法，其特征在于，包括：/n(1)在硅片正面和背面形成绒面，所述硅片为P型硅；/n(2)在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；/n(3)去除扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结，并对硅片背面进行抛光；/n(4)对硅片进行热氧化处理；/n(5)在硅片背面沉积钝化膜；/n(6)在硅片正面沉积钝化膜；/n(7)对硅片背面的钝化膜上开槽；/n(8)将硅片置入热处理设备，所述热处理设备包括高温激活区和低温修复区，所述硅片在高温激活区内进行高温热退火处理，以增加硅基底的整体晶格热运动；然后在低温修复区内进行低温热退火处理，以使硅基底重结晶；/n(9)印刷背面电极和正面电极；/n(10)对硅片进行高温烧结，制得P型PERC双面太阳能电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
