[发明专利]差分低噪声放大器有效
| 申请号： | 201910947133.2 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110635769B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种差分低噪声放大器，属于电子电路技术领域。该差分低噪声放大器包括输入级放大电路、输出级放大电路和平方律电路，输入级放大电路中差分输入主放大管对的源极和体端之间均连接有电阻；平方律电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极分别连接差分输入主放大管对的栅极，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接后通过负载接地；第一PMOS管、第二PMOS管的公共端通过隔直耦合电容与差分输入主放大管对的体端分别连接；解决了差分低噪放因源极反馈电感导致三阶交调非线性失真增加的问题，达到了增强线性度，提高输入三阶交调截点，改善射频前端系统动态范围的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1.一种差分低噪声放大器，其特征在于，包括输入级放大电路、输出级放大电路和平方律电路；/n所述输入级放大电路包括第一NMOS管、第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极为所述输入级放大电路的信号输入端；所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极为输入级放大电路的输出端；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极通过对称抽头反馈电感接地；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极通过对称抽头匹配偏置电感连接第一偏置电压；所述第一NMOS管的源极和体端之间连接有第一电阻，所述第二NMOS管的源极和体端之间连接有第二电阻；/n所述输出级放大电路包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极通过对称抽头负载电感与电源电压连接；所述第三NMOS管的栅极通过第一偏置电阻连接所述对称抽头负载电感，所述第四NMOS管的栅极通过第二偏置电阻连接所述对称抽头负载电感，所述对称抽头负载电感的抽头端连接电源电压；所述第三NMOS管的栅极通过第一电容接地，所述第四NMOS管的栅极通过第二电容接地；所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极为所述差分低噪声放大器的信号输出端；/n所述平方律电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的栅极所述第二NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接后通过负载接地；所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接后还通过隔直耦合电容与所述第一NMOS管的体端、所述第二NMOS管的体端分别连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接后与所述电源电压连接；所述第一PMOS管的栅极通过第一负载电阻接第二偏置电压，所述第二PMOS管的栅极通过第二负载电阻接所述第二偏置电压。/n
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