[发明专利]差分低噪声放大器

权利要求书

1.一种差分低噪声放大器，其特征在于，包括输入级放大电路、输出级放大电路和平方律电路；

所述输入级放大电路包括第一NMOS管、第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极为所述输入级放大电路的信号输入端；所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极为输入级放大电路的输出端；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极通过对称抽头反馈电感接地；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极通过对称抽头匹配偏置电感连接第一偏置电压；所述第一NMOS管的源极和体端之间连接有第一电阻，所述第二NMOS管的源极和体端之间连接有第二电阻；

所述输出级放大电路包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极通过对称抽头负载电感与电源电压连接；所述第三NMOS管的栅极通过第一偏置电阻连接所述对称抽头负载电感，所述第四NMOS管的栅极通过第二偏置电阻连接所述对称抽头负载电感，所述对称抽头负载电感的抽头端连接电源电压；所述第三NMOS管的栅极通过第一电容接地，所述第四NMOS管的栅极通过第二电容接地；所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极为所述差分低噪声放大器的信号输出端；

所述平方律电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的栅极所述第二NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接后通过负载接地；所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接后还通过隔直耦合电容与所述第一NMOS管的体端、所述第二NMOS管的体端分别连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接后与所述电源电压连接；所述第一PMOS管的栅极通过第一负载电阻接第二偏置电压，所述第二PMOS管的栅极通过第二负载电阻接所述第二偏置电压。

2.根据权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，在所述输入级放大电路中，所述第一NMOS管的栅极通过第一输入耦合电容接射频信号，所述第二NMOS管的栅极通过第二输入耦合电容接射频信号；

在所述输出级放大电路中，所述第三NMOS管的漏极连接第一输出耦合电容的一端，所述第一输出耦合电容的另一端为信号输出端，所述第四NMOS管的漏极连接第二输出耦合电容的一端，所述第二输出耦合电容的另一端为信号输出端；

所述射频信号为差分信号。

3.根据权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一NMOS管的源极连接所述对称抽头反馈电感的第一端，所述第二NMOS管的源极连接所述对称抽头反馈电感的第二端，所述对称抽头反馈电感的第三端抽头接地；

所述第一NMOS管的栅极连接所述对称抽头匹配偏置电感的第一端，所述第二NMOS管的栅极连接所述对称抽头匹配偏置电感的第二端，所述对称抽头匹配偏置电感的第三端抽头接第一偏置电压；

所述第三NMOS管的漏极连接所述对称抽头负载电感的第一端，所述第四NMOS管的漏极连接所述对称抽头负载电感的第二端，所述第三NMOS管的栅极通过第一偏置电阻连接所述对称抽头负载电感的第一端，所述第四NMOS管的栅极通过第二偏置电阻连接所述对称抽头负载电感的第二端，所述对称抽头负载电感的第三端抽头连接所述电源电压。

4.根据权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一PMOS管的栅极通过第三电容连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的栅极通过第四电容连接所述第二NMOS管的栅极。

5.根据权利要求1所述的差分低噪声放大器，其特征在于，所述负载为可调节负载，所述负载用于补偿相位以及调节所述第一NMOS管和第二NMOS管衬底注入二阶交调的幅度。