[发明专利]一种连续式生产晶体硅太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201910940532.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582498A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 龚杰洪;范迎新;张威;苏卫中 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种连续式生产晶体硅太阳能电池的方法，步骤为：步骤S1：通过制绒机完成清洗制绒；步骤S2：通过扩散炉制PN结；步骤S3：经扩散炉处理后的硅片以水平传送方式送入高温退火炉，完成退火；步骤S4：经高温退火炉处理后的硅片以水平传送方式送入平板式PECVD，完成背面镀钝化膜、表面镀减反射膜；步骤S5：对镀膜后的硅片进行激光刻槽、丝网印刷、烧结及测试分选，形成晶体硅太阳能电池。本发明具有对硅片的损伤少、效率高、所需操作人员少、工序间物料传送结构简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生产 晶体 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
