[发明专利]一种大面积薄层二维碲烯的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910938644.8 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110510585B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 郑晶莹;江凡;詹红兵;陈奇俤 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C01B19/02 分类号: C01B19/02
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 林文弘;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种大面积薄层二维碲烯的制备方法,该制备方法包括以下过程:以碲粉末为碲源,通过将碲粉磨细并取少量以2‑4列形式放置在SiO2/Si基底上,每列间相隔约2‑4 mm,在此基底上再覆盖另一SiO2/Si基底,构建限域生长空间,放置于单温管式炉中,在700‑800℃下退火10‑40 min,碲蒸发进入气相,大部分停留在限域空间内,直接在基底上实现大面积的生长。该方法制备出来的碲烯薄膜具有生长面积大、厚度薄、较为均匀等优点。
搜索关键词: 一种 大面积 薄层 二维 制备 方法
【主权项】:
1.一种大面积薄层二维碲烯的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:/n(1)取少量碲粉在研钵中充分研磨/n(2)将研磨好的碲粉取少量放置在SiO2/Si基底上,放置成2-4列,再放置另一片SiO2/Si基底覆盖于碲粉上;/n(3)将步骤(2)中的碲粉/基底承载在清洗好的石英舟中,而后一并放置在管式炉中心温区进行高温退火,进而得到大面积的薄层二维碲烯。/n
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