[发明专利]低功率理想二极管控制电路有效
| 申请号： | 201910937694.4 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110794728B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | T·B·莫金;H·P·弗汉尼-扎德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请题为“低功率理想二极管控制电路”。在作为低功率理想二极管操作的电路(100)的所描述的示例中，电路(100)包括：p沟道晶体管(102)，其被连接以在第一端子上接收输入电压(V |
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| 搜索关键词： | 功率 理想 二极管 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，其包含：/np沟道晶体管，其被连接以在第一端子上接收输入电压并且在第二端子上提供输出电压；/n第一放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第一信号，所述第一信号根据所述p沟道晶体管两端的电压动态地偏置所述p沟道晶体管的栅极；以及/n第二放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第二信号，所述第二信号操作以响应于所述输入电压小于所述输出电压而断开所述p沟道晶体管的所述栅极。/n
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