[发明专利]金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910930340.7 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN110715916A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 张宇;韩应宽;韩琳 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;B82Y15/00;C01B32/186
代理公司: 37247 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 张慧芳
地址: 266200 山东省青岛市即*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底及其制备方法和应用,通过所述制备方法制备的金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底包括硅基底、单层石墨烯和均匀金属纳米点阵,所述单层石墨烯位于硅基底上,所述均匀金属纳米点阵均匀分布于单层石墨烯上,获得规则排布的金属纳米点阵/单层石墨烯SERS基底,将金属纳米结构的电磁增强与石墨烯的化学增强耦合,可用于检测疏水的芳香族化合物,该方法简单、易操作、可以制备大面积SERS基底,且所制备的SERS衬底表面热点分布均匀、面积大,可提高SERS信号重复性和稳定性。
搜索关键词: 单层石墨烯 制备 点阵 金属纳米 均匀金属 纳米点阵 衬底 硅基 基底 制备方法和应用 芳香族化合物 金属纳米结构 衬底表面 规则排布 化学增强 耦合 石墨烯 可用 疏水 检测
【主权项】:
1.金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底,其特征在于,包括硅基底、单层石墨烯和均匀金属纳米点阵,所述单层石墨烯位于硅基底上,所述均匀金属纳米点阵均匀分布于单层石墨烯上,所述均匀金属纳米点阵通过双通纳米孔阵列制备。/n
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