[发明专利]筛选SBAR规则的方法有效
| 申请号： | 201910914949.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110647008B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘雪强;戴韫青;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及筛选SBAR规则的方法，涉及半导体集成电路中的光学临近效应修正技术，在筛选SBAR规则过程中，首先提供一第一图案，在第一图案周围生成不同SBAR规则，以生成带有不同SBAR规则的第一图案集合；然后生成不同焦点下的光学模型；然后确定最佳的焦点值；然后确定光强的阈值；最后利用最佳的焦点值对应的光学模型对带有不同SBAR规则的第一图案进行仿真，得到带有不同SBAR规则的第一图案的焦深，筛选出焦深大于一第一阈值的带有SBAR规则的图案，将其对应的SBAR规则为备用SBAR规则，如此在筛选SBAR规则的过程中不需要针对多种不同SBAR规则出版掩膜版，不仅可以节省掩膜版和人力物力，同时还可以缩短开发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 筛选 sbar 规则 方法 | ||
【主权项】：
1.一种筛选SBAR规则的方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一第一图案，在第一图案周围生成不同SBAR规则，以生成带有不同SBAR规则的第一图案集合；/nS2：生成不同焦点下的光学模型；/nS3：确定最佳的焦点值；/nS4：根据anchor pattern确定光强的阈值；以及/nS5：利用最佳的焦点值对应的光学模型对步骤S1中带有不同SBAR规则的第一图案进行仿真，得到带有不同SBAR规则的第一图案的焦深，筛选出焦深大于一第一阈值的带有SBAR规则的图案。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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