[发明专利]基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法

摘要

本发明涉及一种基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，属于微纳光学及衍射光学领域，该微纳半波片由多个纳米砖结构阵列构成，纳米砖结构阵列包括多个纳米砖结构单元，以偏振方向沿x轴或y轴的线偏振光垂直入射所述纳米砖结构阵列后，其透射光偏振方向会发生改变，透射光再经过一检偏方向与入射线偏振光方向平行的检偏器后，由马吕斯定律可知其振幅会发生变化，振幅变化量与微纳半波片转角相关，通过合理设计多个纳米砖结构阵列中的微纳半波片转角分布，可以得到振幅型光栅。本发明制得的振幅型光栅的振幅可连续调制，且只需一次光刻，加工容易，设计灵活。

主权项

1.一种基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n构建纳米砖结构单元，优化得到以工作波长入射时其功能等效为半波片的纳米砖结构单元的结构参数，其中，所述纳米砖结构单元包括透明基底以及设置在所述基底工作面上的纳米砖，以平行于所述工作面的两条边的方向分别设为x轴和y轴建立xoy坐标系，所述纳米砖上与所述工作面平行的面上具有长轴L和短轴W，所述纳米砖的转向角为所述纳米砖的长轴L与x轴的夹角θ；/n构建纳米砖结构阵列，所述纳米砖结构阵列包括多个纳米砖结构单元，以偏振方向沿x轴或y轴的线偏振光垂直入射所述纳米砖结构阵列后再经过检偏方向与入射线偏振光方向平行的检偏器后，得出入射线偏振光经过所述纳米砖结构单元和所述检偏器后其振幅变化量与两倍的纳米砖转向角θ存在余弦关系，然后根据所要加工的光栅要求的振幅调制分布以及得到的振幅变化量与两倍的纳米砖转向角θ之间的余弦关系确定每个纳米砖结构单元中的纳米砖转向角θ，将所述纳米砖结构阵列中的每个所述纳米砖结构单元上的所述纳米砖按得到的各位置处对应的纳米砖转向角θ进行排布，从而获得振幅型光栅。/n