[发明专利]一种基于SRAM的强PUF工作电路和方法在审
| 申请号: | 201910901912.9 | 申请日: | 2019-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN110677255A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
| 发明(设计)人: | 胡鹏;周昱;张荣 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号: | H04L9/32 | 分类号: | H04L9/32;H04L9/06;H04L9/08 |
| 代理公司: | 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 杨立秋 |
| 地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开一种基于SRAM的强PUF工作电路和方法,属于信息安全技术领域。基于SRAM的强PUF工作电路包括SRAM及其控制器电路、数据位宽转换电路以及AES加密电路;SRAM及其控制电路在读写控制信号控制下,依次读取地址内数据,最多产生128×N bits输出至数据位宽转换电路;所述数据位宽转换电路将若干个地址产生的数据缓存、拼接成128位并行数据输出,并作为密钥送至AES加密电路;所述AES加密电路使用该密钥,对128位长度的激励进行加密处理,得到128位长度的响应,构成激励‑响应对。其结构灵活、精简,密钥生成速度快、成本低、可靠性高,能满足强PUF具有海量激励‑响应对的要求。 | ||
| 搜索关键词: | 电路 数据位宽转换 工作电路 密钥 响应 信息安全技术 控制器电路 写控制信号 地址产生 电路使用 加密处理 控制电路 密钥生成 数据缓存 数据输出 依次读取 位并行 拼接 输出 灵活 | ||
【主权项】:
1.一种基于SRAM的强PUF工作电路,其特征在于,包括SRAM及其控制器电路、数据位宽转换电路以及AES加密电路;其中,/n所述SRAM及其控制器电路的数据输出端与所述数据位宽转换电路的数据输入端连接;/n所述数据位宽转换电路的输出端与所述AES加密电路的密钥输入端连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所,未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910901912.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。





