[发明专利]二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统有效

专利信息
申请号: 201910899712.4 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110697779B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 刘大猛;房亮;庞华;雒建斌 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;G01Q60/26;G01Q30/02;H02N1/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 周晓飞;谷敬丽
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统,该方法包括:获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件;根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,获得二硫化钼的摩擦特征数据;在获得二硫化钼的目标摩擦力后,基于二硫化钼的摩擦特征,控制电子束照射二硫化钼,以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。本发明可以对二硫化钼进行摩擦调控,避免静电力的干扰,准确度高。
搜索关键词: 二硫化钼 摩擦 调控 方法 装置 系统
【主权项】:
1.一种二硫化钼的摩擦调控方法,其特征在于,包括:/n获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件;/n根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,获得二硫化钼的摩擦特征数据;/n在获得二硫化钼的目标摩擦力后,基于二硫化钼的摩擦特征数据,控制电子束照射二硫化钼,以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。/n
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