[发明专利]一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法在审
申请号: | 201910884293.7 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110568380A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 姜思达;孙剑飞;曹福洋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01R33/00 | 分类号: | G01R33/00;G01R33/09 |
代理公司: | 23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邓宇 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙;23 |
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摘要: | 一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法,属于功能材料的应用技术领域。为了提高非晶纤维阻抗性能,本发明提供了一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法,是指对Co基非晶纤维施加偏置电流,所述偏置电流大小为2.5mA‑180mA,外部激励磁场周期为2‑5min,大小为0.5‑2.5Oe;所述Co基非晶纤维为Co | ||
搜索关键词: | 非晶 纤维 巨磁阻 抗性能 偏置电流 应用技术领域 磁场周期 功能材料 外部激励 传感器 可用 制备 阻抗 施加 | ||
【主权项】:
1.一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法,其特征在于,是指对Co基非晶纤维施加偏置电流,所述偏置电流大小为2.5mA-180mA,外部激励磁场周期为2-5min,大小为0.5-2.5Oe;所述Co基非晶纤维为Co
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