[发明专利]一种磁传感器有效
| 申请号： | 201910883968.6 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110531287B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | B·N·恩格尔;P·G·马瑟 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁传感器。所公开的实施例涉及实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括：第一桥电路，其包括用于感测磁场的多个TMR元件；以及第二电路，其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲。电流线连续地或顺序连接到场源，以接收双极电流脉冲。场传感器具有包括响应于双极脉冲的高输出和低输出的输出。此不对称响应允许进行场传感器中的1/f噪声减小的斩波技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器(100)，包括：/n第一多个磁阻传感器元件(210)，所述第一多个磁阻传感器元件耦接在一起成为第一电路(200)；以及/n第二电路(400)，所述第二电路与所述第一电路(200)相邻并且被配置为从与所述第二电路(400)耦接的双极电流源(500)接收双极电流信号(600)，/n其中所述第二电路(400)的一部分与所述第一多个磁阻传感器元件(210)中的每个磁阻传感器元件(210)相邻，并且/n其中所述双极电流信号(600)被配置为产生磁场以抵消从所述第一多个磁阻传感器元件(210)中的至少一个磁阻传感器元件(210)产生的1/f噪声的至少一部分。/n
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