[发明专利]磁性穿隧接面结构与其制造方法有效
| 申请号： | 201910880175.9 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911552B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨毅;沈冬娜;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一导电通路层沉积于一底电极上，接着导电通路层被图案化并修整以在底电极上形成次20nm的一导电通路。导电通路以一第一介电层封装，第一介电层被平坦化以暴露导电通路的一顶表面。一磁性穿隧接面堆叠沉积于封装的导电通路上，其中磁性穿隧接面堆叠包括至少一固定层(pinned layer)、一阻挡层及一自由层。一顶电极层沉积于磁性穿隧接面堆叠上，且被图案化并修整以形成一次30nm的硬掩模。将磁性穿隧接面堆叠使用硬掩模蚀刻以形成一磁性穿隧接面装置并将磁性穿隧接面堆叠过蚀刻至第一介电层中，但不蚀刻至底电极中，其中金属再沉积材料形成在磁性穿隧接面装置下的第一介电层的侧壁上，而不形成在磁性穿隧接面装置的阻挡层的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 穿隧接面 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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