[发明专利]薄膜桥压式氢气氛传感器在审
| 申请号： | 201910864385.9 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110426422A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 庄志;张毅;李树勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院总体工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 杨春 |
| 地址： | 621908*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜桥压式氢气传感器，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层设置于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气和所述温度补偿元件；所述基底层用于绝缘层载体；所述绝缘层用于基底层隔离。本发明薄膜桥压式氢气传感器能够成倍增敏并自带温度补偿功能，能够适用于微间隙测量，减小了环境交叉干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感电阻 绝缘层 温度补偿元件 薄膜桥 基底层 压式 氢气传感器 阻挡层 桥路 温度补偿功能 交叉干扰 敏感元件 上下两侧 依次设置 氢气 微间隙 传感器 减小 自带 倍增 测量 隔离 | ||
【主权项】：
1.薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，为多层薄膜式结构，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层覆盖于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气与所述温度补偿元件；所述基底层用于作为传感器件的载体；所述绝缘层用于基底层与敏感层隔离，并使传感器与大地绝缘。
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