[发明专利]一种RFID芯片上的存储器阵列结构在审
| 申请号： | 201910863162.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110428860A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 韦强;张建伟 | 申请（专利权）人： | 上海明矽微电子有限公司;张建伟 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在EEPROM存储器设计中，速度、功耗和面积是三个最基本也是最关键的设计指标。在RFID的应用中，由于某些RFID的工作特性，为了提升操作速度，对该存储单元阵列的操作采取按页读取和按页写入的方式，以一个页为基本操作单位，使得EE存储器阵列中可以省略BSG管，这样就在不影响任何工作性能的条件下，减小了EE存储器阵列模块的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器阵列结构 存储器阵列模块 读取 存储单元阵列 存储器阵列 工作特性 工作性能 基本操作 省略 功耗 减小 写入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在RFID芯片上的EE存储阵列，其特征在于，包括：操作速度快，面积小。
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