[发明专利]一种半导体锁模激光器及锁模激光器调谐设置方法在审
申请号: | 201910857066.5 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110707526A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 张璟 | 申请(专利权)人: | 长沙思木锐信息技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/065 | 分类号: | H01S5/065;H01S5/10 |
代理公司: | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 赵琴娜 |
地址: | 410007 湖南省长沙市雨花区劳动东路*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体锁模激光器,包括:第一反射器与第二反射器相对设置;饱和吸收体设置于第一反射器的一侧;半导体增益介质设置于饱和吸收体远离第一反射器的一侧;时延调制器设置于半导体增益介质远离饱和吸收体的一侧;第二反射器设置于时延调制器远离所述半导体增益介质的一侧。本发明还公开了一种半导体激光器的调谐方法。通过本发明提供的半导体锁模激光器及调谐方法,可在不影响锁模激光器正常工作情况下,改变腔体内部的有效光程,以输出重复频率可连续调谐的超窄光脉冲。 | ||
搜索关键词: | 反射器 半导体增益介质 饱和吸收体 锁模激光器 调谐 调制器 时延 半导体 半导体激光器 输出重复频率 连续调谐 腔体内部 相对设置 有效光程 光脉冲 | ||
【主权项】:
1.一种半导体锁模激光器,其特征在于,包括:第一反射器、第二反射器、饱和吸收体、半导体增益介质、时延调制器;/n所述饱和吸收体设置于所述第一反射器的一侧;/n所述半导体增益介质设置于所述饱和吸收体远离所述第一反射器的一侧;/n所述时延调制器设置于所述半导体增益介质远离所述饱和吸收体的一侧;/n所述第二反射器设置于所述时延调制器远离所述半导体增益介质的一侧;/n所述第一反射器与所述第二反射器相对设置。/n
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