[发明专利]一种半导体锁模激光器及锁模激光器调谐设置方法在审

专利信息
申请号: 201910857066.5 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN110707526A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 张璟 申请(专利权)人: 长沙思木锐信息技术有限公司
主分类号: H01S5/065 分类号: H01S5/065;H01S5/10
代理公司: 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人: 赵琴娜
地址: 410007 湖南省长沙市雨花区劳动东路*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 反射器 半导体增益介质 饱和吸收体 锁模激光器 调谐 调制器 时延 半导体 半导体激光器 输出重复频率 连续调谐 腔体内部 相对设置 有效光程 光脉冲
【权利要求书】:

1.一种半导体锁模激光器,其特征在于,包括:第一反射器、第二反射器、饱和吸收体、半导体增益介质、时延调制器;

所述饱和吸收体设置于所述第一反射器的一侧;

所述半导体增益介质设置于所述饱和吸收体远离所述第一反射器的一侧;

所述时延调制器设置于所述半导体增益介质远离所述饱和吸收体的一侧;

所述第二反射器设置于所述时延调制器远离所述半导体增益介质的一侧;

所述第一反射器与所述第二反射器相对设置。

2.根据权利要求1所述的半导体锁模激光器,其特征在于,所述时延调制器由环形谐振腔组合和移相器所构成。

3.根据权利要求1至2任一项所述的半导体锁模激光器,其特征在于,所述第一反射器为全反射镜,所述第二反射器为半反射镜。

4.根据权利要求3所述的半导体锁模激光器,其特征在于,所述饱和吸收体和所述半导体增益介质为半导体放大器。

5.根据权利要求2所述的半导体锁模激光器,其特征在于,当耦合系数为[1,1,1,1]时,环形谐振腔组合的时延为理论最大值τmax=CRR*neff/c;当耦合系数为[0,0,0,0]时,时延为理论最小值,τmax=LS*neff/c,其中CRR为环形谐振腔周长,LS为下臂直波导的总长,neff为波导的有效折射率为,c为光速。

6.根据权利要求3所述的半导体锁模激光器,其特征在于,所述半反射镜为有源分布式布拉格光栅。

7.一种半导体锁模激光器的调谐设置方法,其特征在于,在第一反射器的一侧设置一饱和吸收体;

在所述饱和吸收体远离所述第一反射器的一侧设置一半导体增益介质;

在所述半导体增益介质远离所述饱和吸收体的一侧设置一时延调制器;

在所述时延调制器远离所述半导体增益介质的一侧设置一第二反射器。

8.根据权利要求7所述的半导体锁模激光器的调谐设置方法,其特征在于,利用环形谐振腔组合和移相器构造所述时延调制器。

9.根据权利要求7所述的半导体锁模激光器的调谐设置方法,其特征在于,利用半导体放大器分别构造所述饱和吸收体和所述半导体增益介质。

10.根据权利要求7至9任意一项所述的半导体锁模激光器的调谐设置方法,其特征在于,利用有源分布式布拉格光栅构造所述第二反射器。

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