[发明专利]偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910855262.9 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110554460B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陆子晴;韩勤;叶焓;王帅;肖峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/136;H04B10/61 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法，该光学混频器包括外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上；其中：所述外延片器件层包括多模干涉区，用于实现偏振无关；所述多模干涉区为双脊型波导，用于抑制多模干涉区中更多高阶模式的激励，提高混频器输出的相位准确性；所述外延片器件层还包括减反薄膜，所述减反薄膜形成于所述外延片器件层的两端；二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，提高外延片器件层稳定性。本发明提出的铟磷基光学混频器可直接通过光刻工艺制备，具有工艺成本低、器件微型化、偏振无关、高相位准确性、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于批量制备的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 无关 双脊型铟磷基 光学 混频器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器，其特征在于，包括：/n外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上，外延片器件层上的器件通过直波导依次连接，用于实现混频；其中：/n所述外延片器件层包括多模干涉区，用于实现偏振无关；所述多模干涉区为双脊型波导，用于抑制多模干涉区中更多高阶模式的激励，提高混频器输出的相位准确性；/n所述外延片器件层还包括减反薄膜，所述减反薄膜形成于所述外延片器件层的两端，用于减少光在波导的两个端面之间的来回反射；/n二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，用于保护外延片器件层，并提高外延片器件层稳定性。/n
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