[发明专利]一种射频功率放大器在审
| 申请号： | 201910851430.7 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110572132A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘双军 | 申请（专利权）人： | 河北森骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H03F1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050090 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频功率放大器，包括驱动级电路和功率级电路两级电路结构，驱动级电路将输入信号功率提高到可以驱动功率级电路正常工作的程度；功率级电路采用共源共栅结构。本发明研发设计的射频功率放大器性能指标良好，输出功率的提升使得通信距离得到拓展；工作效率的提升降低了能量的消耗程度、提高了系统的稳定运行时长。 | ||
| 搜索关键词： | 射频功率放大器 电路 功率级电路 驱动级 共源共栅结构 两级电路结构 输入信号功率 工作效率 驱动功率 输出功率 通信距离 稳定运行 时长 研发 消耗 拓展 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率放大器，包括驱动级电路和功率级电路两级电路结构，其特征在于：/n所述驱动级电路将输入信号功率提高到可以驱动功率级电路正常工作的程度；所述驱动级电路的输入匹配电路完成输入阻抗匹配，将前级电路的输出阻抗转换为功放的最优输入阻抗；输入匹配电路滤除前级电路中多余的高频分量；/n所述功率级电路采用共源共栅结构；共源共栅结构中的共源管采用能够为电路提供高增益的薄栅N型金属-氧化物-半导体晶体管；共源共栅结构中的共栅管采用能够承担高分压和降低击穿风险的厚栅N型金属-氧化物-半导体晶体管；功率级电路中的漏极直流电感采用有限电感；漏极直流电感的寄生电阻设置为与漏极直流电感成正比；在功率级电路中对于电压变化时寄生电容充放电汲取额外电流导致射频功率放大器效率的下降的节点，在节点处添加与寄生电容并联谐振在基频的电感-电容串联电路，并利用电容并实现隔直，降低节点寄生电容的损耗。/n
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