[发明专利]太阳能单电池有效
| 申请号： | 201910846538.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111029434B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 桥口大树;松山谦太 | 申请（专利权）人： | 松下控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 能够提高发电效率并抑制半导体衬底与本征半导体层剥离。太阳能单电池(10)包括：具有第1主面和第2主面的n型硅衬底(20)；设置于第1主面的n型第1半导体层(22n)；设置于第1主面与第1半导体层(22n)之间的第1本征半导体层(22i)；设置于第2主面的p型第2半导体层(21p)；和设置于第2主面与第2半导体层(21p)之间的第2本征半导体层(21i)。硅衬底(20)与第2本征半导体层(21i)的界面氧浓度比硅衬底(20)与第1本征半导体层(22i)的界面氧浓度低，第2本征半导体层(22i)与第2半导体层(21p)的界面氧浓度比第1本征半导体层(22i)与第1半导体层(22n)的界面氧浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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