[发明专利]一种气体X射线像增强器有效

专利信息
申请号: 201910834794.4 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110571114B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 张志永;丰建鑫;王旭;刘建北;邵明;周意 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01J31/50 分类号: H01J31/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种气体X射线像增强器,包括:读出阳极板(1);微网电极结构(2),由n层微网电极(21)通过支撑结构(3)级联而成,该支撑结构(3)固定在读出阳极板(1)上,其中,支撑结构(3)位于微网电极结构(2)的两端,微网电极(21)之间及微网电极(21)与读出阳极板(1)之间形成气体雪崩放大区,n为大于等于2的整数;入射窗(4),其形成于微网电极结构(2)上方,通过外壳(6)与读出阳极板(1)相连,将微网电极结构(2)及所述支撑结构(3)密封;漂移阴极(5),其形成于入射窗(4)的内表面;其中,密封结构内部填充有用于电子漂移和雪崩倍增的工作气体。该器件光强度的放大倍数及对X射线的转换效率高,且结构简单。
搜索关键词: 一种 气体 射线 增强
【主权项】:
1.一种气体X射线像增强器,包括:/n读出阳极板(1);/n微网电极结构(2),由n层微网电极(21)通过支撑结构(3)级联而成,所述支撑结构(3)固定在所述读出阳极板(1)上,其中,所述支撑结构(3)位于所述微网电极结构(2)的两端,所述微网电极(21)之间及所述微网电极(21)与所述读出阳极板(1)之间形成气体雪崩放大区,n为大于等于2的整数;/n入射窗(4),其形成于所述微网电极结构(2)上方,通过外壳(6)与所述读出阳极板(1)相连,将所述微网电极结构(2)及所述支撑结构(3)密封;/n漂移阴极(5),其形成于所述入射窗(4)的内表面;/n其中,所述密封结构内部填充有用于电子漂移和雪崩倍增的工作气体。/n
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