[发明专利]悬浮二维材料光致发光的光电调控器及制备、调控方法有效
| 申请号： | 201910833975.5 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110564417B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李宝军;严佳豪;杨国伟 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;C09K11/68 |
| 代理公司： | 西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61237 | 代理人： | 麦春明 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种悬浮二维材料光致发光的光电调控器及制备、调控方法，利用化学气相沉积系统在SOI衬底上镀30nm氧化层，并利用聚焦离子束刻蚀技术在SOI衬底上刻蚀覆盖有氧化层的Si纳米条，再利用干法转移将单层或双层WS |
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| 搜索关键词： | 悬浮 二维 材料 光致发光 光电 调控 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.悬浮二维材料光致发光的光电调控器的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：/n步骤S1：准备SOI衬底，利用电感耦合等离子体化学气相沉积，在SOI衬底上镀30nm SiO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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