[发明专利]一种超薄单面导电高分子薄膜的制作方法在审

专利信息
申请号: 201910832542.8 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110552000A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 何志能;夏祥华 申请(专利权)人: 湖南省凯纳方科技有限公司
主分类号: C23C24/00 分类号: C23C24/00;B22F1/02;B22F1/00;C25D3/38;C25D3/18;C23C28/02
代理公司: 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 李宝硕
地址: 423000 湖南省郴*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种超薄单面导电高分子薄膜的制备方法。该方法包括如下步骤:(1)在高分子膜表面涂布银包铜浆,烘干固化,控制膜层的电阻在1‑50欧姆;(2)步骤(1)完成后,再在膜层上进行电镀铜或镍,得到单面导电超薄薄膜。本发明通过先在高分子膜表面涂布银包铜浆,控制膜层电阻,再结合电镀铜或镍,得到单面导电超薄薄膜,膜层厚度在10μm以下,且高分子膜与导电层之间的结合性和均匀性优异,且薄膜导电性能优异。
搜索关键词: 单面导电 高分子膜表面 超薄薄膜 控制膜层 电镀铜 银包铜 电阻 膜层 高分子薄膜 导电性能 高分子膜 烘干固化 导电层 结合性 均匀性 制备 薄膜
【主权项】:
1.一种超薄单面导电高分子薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:/n(1)在高分子膜表面涂布银包铜浆,烘干固化,控制膜层的电阻在1-50欧姆;/n(2)步骤(1)完成后,再在膜层上进行电镀铜或镍,得到单面导电超薄薄膜。/n
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