[发明专利]一种超薄单面导电高分子薄膜的制作方法在审
| 申请号： | 201910832542.8 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110552000A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 何志能;夏祥华 | 申请（专利权）人： | 湖南省凯纳方科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/00 | 分类号： | C23C24/00;B22F1/02;B22F1/00;C25D3/38;C25D3/18;C23C28/02 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李宝硕 |
| 地址： | 423000 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄单面导电高分子薄膜的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)在高分子膜表面涂布银包铜浆，烘干固化，控制膜层的电阻在1‑50欧姆；(2)步骤(1)完成后，再在膜层上进行电镀铜或镍，得到单面导电超薄薄膜。本发明通过先在高分子膜表面涂布银包铜浆，控制膜层电阻，再结合电镀铜或镍，得到单面导电超薄薄膜，膜层厚度在10μm以下，且高分子膜与导电层之间的结合性和均匀性优异，且薄膜导电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 单面导电 高分子膜表面 超薄薄膜 控制膜层 电镀铜 银包铜 电阻 膜层 高分子薄膜 导电性能 高分子膜 烘干固化 导电层 结合性 均匀性 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种超薄单面导电高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n(1)在高分子膜表面涂布银包铜浆，烘干固化，控制膜层的电阻在1-50欧姆；/n(2)步骤(1)完成后，再在膜层上进行电镀铜或镍，得到单面导电超薄薄膜。/n
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