[发明专利]使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器(SAS)在审
申请号: | 201910831618.5 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110870790A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | V.格林纳;A.戈瓦里 | 申请(专利权)人: | 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司 |
主分类号: | A61B18/12 | 分类号: | A61B18/12;A61B18/14;A61B34/20;A61B5/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;张金金 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明题为“使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器(SAS)”。提供了一种基于导管的跟踪系统,该跟踪系统包括一个或多个场发生器和处理器。与磁共振成像(MRI)系统相邻地定位的一个或多个场发生器被配置成施加交流(AC)磁场。该处理器被配置成接收信号,该信号响应于AC磁场而在单轴传感器(SAS)中产生,该单轴传感器装配在插入患者的器官中的导管的远侧端部处;基于从SAS接收的信号来计算远侧端部的方向;从装配在导管的远侧端部处的霍尔效应传感器接收磁共振成像(MRI)系统的直流(DC)磁场的感测分量;以及基于所计算的方向和DC磁场的感测分量来计算远侧端部在器官内的滚转角。 | ||
搜索关键词: | 使用 外部 磁体 具有 霍尔 传感器 sas | ||
【主权项】:
暂无信息
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