[发明专利]一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201910807901.4 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN112447473B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 惠迎雪;刘卫国;张进;徐均琪;边寒寒;杨梦熊;弥谦;陈智利 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法,该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式,可形成高密度大面积的等离子体,利用该装置耦合正交磁场的定向移动,可驱动等离子体产生定向的运动,实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发,利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场,引导自由基作用于工件表面,亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数(如功率等),磁场的参数(如各磁极大小的变化,包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等),以及气体相关参数(包括气体的种类,流量和压力等),可对等离子体的种类,密度和分布进行精确的调控,实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。
搜索关键词: 一种 口径 光学 元件 等离子体 刻蚀 方法
【主权项】:
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