[发明专利]半导体器件的制造方法和形成CMOS器件的方法有效
| 申请号： | 201910807815.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504218B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王二伟;顾立勋;张丝柳;李君 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法和形成CMOS器件的方法。该半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的高压阱、第一低压阱和第二低压阱，所述高压阱上覆盖有第一栅氧化层，所述第一低压阱和第二低压阱具有裸露的硅表面；在所述第一低压阱和第二低压阱上一并形成第二栅氧化层；在所述高压阱和所述第一低压阱上覆盖保护层；以及减薄所述第二低压阱上的第二栅氧化层，形成第三栅氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 形成 cmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的高压阱、第一低压阱和第二低压阱，所述高压阱上覆盖有第一栅氧化层，所述第一低压阱和第二低压阱具有裸露的硅表面；/n在所述第一低压阱和第二低压阱上一并形成第二栅氧化层；/n在所述高压阱和所述第一低压阱上覆盖保护层；以及/n减薄所述第二低压阱上的第二栅氧化层，形成第三栅氧化层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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