[发明专利]四硫钴酸镍/氢氧化钴纳米片阵列结构复合材料及其制备与应用

摘要

本发明提供了一种NiCo2S4/Co(OH)2纳米片阵列结构复合材料及其制备方法和应用，本发明一是通过控制金属离子与二甲基咪唑的比例，采用溶剂热法制备得到的钴镍双金属有机配体前驱体具有二维纳米片阵列结构，这种纳米片结构以及孔隙尺寸确保具有较高的原子利用率和较好的电解质的扩散；二是通过调节前驱体钴镍两种金属盐的浓度比，采用控制液相水解硫化工艺，即将钴镍双金属有机配体前驱体硫化为钴镍双金属硫化物，同时将一部分钴水解为氢氧化钴，即一次水热反应得到NiCo2S4/Co(OH)2复合物，使钴镍双金属的赝电容行为相互协同，极大地提高了比电容性能，最高比电容达3668F/g，高于金属钴的理论比容量。

主权项

1.一种NiCo₂S₄/Co(OH)₂纳米片阵列结构复合材料，其特征在于，按如下方法制备得到：/n(1)将钴盐、镍盐溶于甲醇，得到金属盐溶液，将二甲基咪唑溶于甲醇，得到有机配体溶液，将金属盐溶液和有机配体溶液混合均匀，放入基体材料，于100～130℃下反应2～4h，得到负载有钴镍双金属有机配体前驱体的基体材料；/n所述钴盐、镍盐的物质的量之比为1:0.25～4；/n所述钴盐、镍盐合计物质的量与二甲基咪唑的物质的量之比为1:2～6；/n(2)将步骤(1)所得负载有钴镍双金属有机配体前驱体的基体材料放入硫化钠水溶液中，于100～160℃下反应2～14h，之后取出经洗涤、干燥，得到所述NiCo₂S₄/Co(OH)₂纳米片阵列结构复合材料。/n