[发明专利]一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路与方法

摘要

本发明公开了一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路，主要解决现有CMOS场效应管的阈值电压产生电路结构复杂，功耗高的问题。该电路包括由五个相同MOS管组成的环路，基于两个VGS栅源电压产生阈值电压的MOS管M6，以及用于使MOS管M6处于和MOS管M5处于一样的饱和区的MOS管M7。通过上述设计，本发明电路结构简单，利用多个相同的MOS管组成环路，基于两个MOS管的栅源电压相减，调整两个相同MOS管之间的电流关系即可得到阈值电压，并且该电路不需要运算放大器来稳定结果，简化了电路结构，降低了电路的整体功耗。因此，具有很高的使用价值和推广价值。

主权项

1.一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路，其特征在于，包括源极S接电压源的MOS管M1，漏极D均与MOS管M1的栅极G相连的MOS管M3和MOS管M4，栅极G与MOS管M3的栅极G相连的MOS管M2，漏极D与MOS管M2的漏极D相连的MOS管M7，漏极D与MOS管M7的源极S相连的MOS管M6，一端与MOS管M7的栅极G相连另一端与MOS管M6的栅极G相连的电阻R3，一端与MOS管M6的栅极G相连且另一端接地的电阻R2，与MOS管M7的栅极G和MOS管M1的漏极均相连的电阻R1，以及漏极D与电阻R1另一端相连的MOS管M5；其中，MOS管M5的栅极G和MOS管M4的栅极G均与MOS管M5的漏极D相连，MOS管M2的源极S和MOS管M3的源极S均外接电压源，MOS管M4的源极S、MOS管M6的源极S、MOS管M5的源极S均接地，MOS管M2的漏极D与MOS管M2的源极S相连。