[发明专利]一种基于柔性衬底的GaN基激光器与HEMT的器件转移制备方法有效
| 申请号： | 201910769904.3 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600990B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 田朋飞;闫春辉;钱泽渊;方志来;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/343;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性GaN基激光器与HEMT单片集成器件的制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上形成第一GaN基激光器、在第一衬底上形成第一HEMT外延片；S2：干法刻蚀激光器n型电极区域、激光器台面结构、及HEMT台面结构；S3：湿法刻蚀第一HEMT外延片的第一衬底，获得第二HEMT外延片，去除GaN基激光器的GaN基激光器衬底层，获得第二GaN基激光器；S4：将第二GaN基激光器以及第二HEMT外延片分别转移至对应的临时衬底，获得第三GaN基激光器和第三HEMT外延片；S5：将第三GaN基激光器和第三HEMT外延片先后转移至第三衬底；第三衬底为柔性衬底；S6：制备钝化层及电极。本发明避免器件隔离性差、难以实现柔性集成的技术问题，实现了安全性高、机械柔性和轻薄性好的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 gan 激光器 hemt 器件 转移 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性GaN基激光器与HEMT单片集成器件的制备方法，其特征在于，包括：/nS1：在GaN基激光器衬底层上形成第一GaN基激光器、在第一衬底上形成第一HEMT外延片；/nS2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器n型电极区域、激光器台面结构、及HEMT台面结构，所述激光器n型电极区域位于第一GaN基激光器外延结构上；/nS3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一HEMT外延片的第一衬底，获得第二HEMT外延片，去除GaN基激光器的GaN基激光器衬底层，获得第二GaN基激光器；/nS4：将所述将所述第二GaN基激光器转移至第一临时衬底，获得第三GaN基激光器；将所述第二HEMT外延片转移至第二临时衬底，获得第三HEMT外延片；/nS5：将第三GaN基激光器和第三HEMT外延片先后转移至第三衬底，通过粘附材料键合第三GaN基激光器与第三衬底、第三HEMT外延片与第三衬底；所述第三衬底为柔性衬底；/nS6：制备钝化层及电极。/n
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