[发明专利]一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910749311.0 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110487855A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 殷晨波;任珺;韩忠俊;章石赟;殷明周 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 32237 江苏圣典律师事务所 | 代理人： | 胡建华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器及其制备方法，将F127模板剂溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中，加入SnCl4·5H2O和PdCl2，室温下搅拌2～4小时后静置老化，得到掺杂钯的二氧化锡溶液；将覆有铂电极的硅基片先后置入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，烘干待用；所得硅基片放置于匀胶机吸盘上，吸取0.5～1.5ml掺杂钯的二氧化锡溶液缓慢滴在硅基片上，开启匀胶机完成旋涂，然后取下烘干；重复本步骤3～7次，最后一次完成旋涂后在室温下干燥；得到的硅基片以1～2℃/min的升温速率升温至120℃热处理10～15小时，再以1～2℃/min升温至200℃煅烧1～3小时，然后以2～3℃/min升温至400℃热处理2～4小时，在热处理过程的最后一小时，以600～800ml/min的流量通入氧气，热处理结束后随炉冷却即得。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片 热处理 掺杂 二氧化锡 匀胶机 烘干 旋涂 吸盘 二氧化锡薄膜 混合溶液中 氢气传感器 热处理过程 超声清洗 去离子水 随炉冷却 无水乙醇 一次完成 铂电极 模板剂 乙醇 丙酮 多层 介孔 取下 水中 置入 制备 煅烧 离子 氧气 老化 重复 | ||
【主权项】：
1.一种多层介孔掺杂钯的二氧化锡薄膜氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)将F127模板剂溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中，然后加入SnCl4·5H2O和PdCl2，室温下搅拌2～4小时后静置老化，得到掺杂钯的二氧化锡溶液；/n(2)将覆有铂电极的硅基片先后置入丙酮、乙醇、去离子水中分别超声清洗，然后烘干待用；/n(3)将步骤(2)所得硅基片放置于匀胶机吸盘上，用滴管吸取0.5～1.5ml步骤(1)掺杂钯的二氧化锡溶液缓慢滴在硅基片上，开启匀胶机完成旋涂，然后取下烘干；重复本步骤3～7次，最后一次完成旋涂后，取下硅基片在室温下干燥5～10天；/n(4)将步骤(3)得到的硅基片以1～2℃/min的升温速率升温至120℃热处理10～15小时，再以1～2℃/min升温至200℃煅烧1～3小时，然后以2～3℃/min升温至400℃热处理2～4小时，在热处理过程的最后一小时中，以600～800ml/min的流量通入氧气，热处理结束后随炉冷却即得。/n
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