[发明专利]一种输出电压可控的电流阱电路有效
申请号: | 201910747716.0 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110597335B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 珠海亿智电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 519080 广东省珠海市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提出一种输出电压可控的电流阱电路,包括:偏置模块,包括至少两个第一输出端和至少一个第一输入端;反馈模块,包括至少两个第二输出端和与所述第一输出端数量相等的第二输入端;以及第一N沟道MOS管,所述N沟道MOS管的源极接地。其中,所述偏置模块的第一输出端与所述反馈模块相应的第二输入端耦接。所述偏置模块的第一输入端作为所述新型电流阱电路的输入端。所述反馈模块的第二输出端中一个与所述第一N沟道MOS管的漏极互联,作为所述新型电流阱电路的输出端。所述反馈模块的第二输出端中另一个与所述第一N沟道MOS管的栅极互联,以确保所述新型电流阱电路的输入端的电压与输出端的电压相等。 | ||
搜索关键词: | 一种 输出 电压 可控 电流 电路 | ||
【主权项】:
1.一种输出电压可控的电流阱电路,包括:/n偏置模块(U1),包括至少两个第一输出端和至少一个第一输入端;/n反馈模块(U2),包括至少两个第二输出端和与所述第一输出端数量相等的第二输入端;以及/n第一N沟道MOS管(M1),所述第一N沟道MOS管(M1)的源极接地;/n其中,所述偏置模块(U1)的第一输出端与所述反馈模块(U2)相应的第二输入端耦接,所述偏置模块(U1)的第一输入端作为所述新型电流阱电路的输入端,所述反馈模块(U2)的第二输出端中一个与所述第一N沟道MOS管(M1)的漏极互联,作为所述新型电流阱电路的输出端,所述反馈模块(U2)的第二输出端中另一个与所述第一N沟道MOS管(M1)的栅极互联,以确保所述电流阱电路的输入端的电压与输出端的电压相等。/n
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