[发明专利]一种基于忆阻器的像元电路和图像传感器有效
| 申请号： | 201910733233.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110519538B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 段杰斌;李琛;郭令仪;范春晖;陈力山 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/235 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种基于忆阻器的像元电路，包括光电二极管、忆阻器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管，所述第一MOS管用于对光电二极管进行复位，所述第四MOS管和第五MOS管用于对忆阻器进行初始化控制，所述第三MOS管和第六MOS管用于对忆阻器进行写入控制；所述光电二极管曝光产生的电荷被第三MOS管和第六MOS管写入至所述忆阻器中，所述忆阻器的阻值用于反应光电二极管曝光产生的电荷量。本发明提供的一种基于忆阻器的像元电路，可有效减小像元面积，提高像元填充率；由于忆阻器具有掉电阻值不变的特点，使得图像传感器在电源关闭后可存储最后一帧图像，在重新通电后还可以复现掉电前的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 电路 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于忆阻器的像元电路，其特征在于，包括光电二极管、忆阻器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管，所述第一MOS管用于对光电二极管进行复位，所述第四MOS管和第五MOS管用于对忆阻器进行初始化控制，所述第三MOS管和第六MOS管用于对忆阻器进行写入控制；/n其中，所述忆阻器的一端通过第二MOS管连接光电二极管，另一端连接像元电路的输出端口，所述光电二极管曝光产生的电荷被第三MOS管和第六MOS管写入至所述忆阻器中，所述忆阻器的阻值用于反应光电二极管曝光产生的电荷量。/n
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