[发明专利]霍尔元件芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910730354.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110416403A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王广才;王静;李菁;欧琳 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 300073*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种霍尔元件芯片及其制作方法，采用铝电极以及过渡层的结构和锑化铟薄膜形成欧姆接触，相对于采用金电极的现有技术方案，大大降低了金属电极材料的成本。另外，金电极需要金丝球超声波压焊工艺，金的熔点较高，需要将霍尔元件芯片置于惰性气体保护环境中加热，然后完成打线工艺，而本发明技术方案中铝电极可以在常温和空气中通过铝超声波压焊机完成打线工艺，以实现和框架的电连接，无需高温条件以及惰性气体保护环境，制作工艺简单，进一步降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔元件芯片 惰性气体保护 打线工艺 金电极 铝电极 制作 熔点 超声波压焊机 金属电极材料 锑化铟薄膜 高温条件 欧姆接触 制作工艺 超声波 电连接 过渡层 金丝 压焊 加热 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔元件芯片，其特征在于，所述霍尔元件芯片包括：衬底，具有第一表面；设置在所述第一表面的绝缘阻挡层；设置在所述绝缘阻挡层背离所述衬底一侧表面的锑化铟薄膜，所述锑化铟薄膜包括欧姆接触区；覆盖所述欧姆接触区的过渡层；铝电极，所述铝电极包括覆盖所述过渡层的第一部分以及延伸至所述绝缘阻挡层表面的第二部分；其中，所述过渡层用于降低所述铝电极与所述锑化铟薄膜的接触电阻；所述第二部分用于完成焊接球焊接，以使得所述铝电极与框架电连接。
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