[发明专利]一种具有高孔隙率的三维网状结构晶体及其制备方法

摘要

本发明提供了化合物1的晶体，所述晶体为单斜晶系，空间群为P 121/n；所述晶体的晶胞参数为：α＝90°，β＝90.024±0.008°，γ＝90°；或，α＝90°，β＝113.35±0.03°，实验证明，本发明制得的化合物1能够形成2种不同的晶体：晶体1和晶体2，表明化合物1存在多晶型现象。其中，晶体1通过大量的氢键作用与C‑H‑π作用，使配位水分子与晶体骨架堆积成具有高孔隙率的三维网状结构；而晶体2中分子间的连接方式与排列方式有显著的差别，它仅通过N‑H…N和O‑H…N两种氢键作用与C‑H…π作用使化合物1分子堆积成无孔三维交叉结构。这种特殊的晶体结构使得化合物1具有良好的热稳定性、明显的分层结构和颇高的孔隙率，在制备介孔材料、载药材料、人工通道材料领域具有很好的应用潜力。

主权项

1.化合物1的晶体，其特征在于：所述晶体为单斜晶系，空间群为P 1 21/n1；/n化合物1的结构为