[发明专利]一种使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构在审
| 申请号： | 201910722138.5 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349321A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构，包括多个存储阵列及至少一读参考系统，其中，所述读参考系统可以产生公共读参考电压，于所述的存储阵列的读出电路使用，防止磁性隧道结的电阻特性生产大范围的变化，并通过所述存储阵列的若干电压检测器，及通过行和列解码器的控制连接选中的存储单元的源极线和位线，把存储单元阵列的电阻转变为电压信号输出，此种由参考单元生成参考电压，储存在电容器上，由于不需要在每一磁性随机存储器存储单元阵列中分配一块参考单元，因此节省了芯片面积并且降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 公共 参考 电压 磁性 随机 存储器 芯片 架构 | ||
【主权项】：
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