[发明专利]用于NAND闪速存储装置的动态邻区和位线辅助校正有效
申请号: | 201910712318.5 | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN110797074B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 内维·库马尔;哈曼·巴蒂亚;蔡宇;张帆 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C16/04;G11C16/08;G06F11/10 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵永莉;李新娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种存储系统。该存储系统包括以阵列布置的存储器单元;以及存储器控制器,联接至存储器单元以用于控制存储器单元的操作。存储器控制器被配置成响应于来自主机的读取命令执行读取操作,使用存储在存储器控制器中的现有LLR(对数似然比)值对来自读取操作的数据执行第一软解码,并且使用考虑来自相邻存储器单元的影响的来自相邻存储器单元的LLR值和现有权重系数来更新现有LLR值。存储器控制器还被配置成使用更新后的LLR值执行第二软解码。如果第二软解码成功,则存储器控制器执行权重系数的递归更新以反映来自相邻存储器单元的更新后的影响,并且将更新后的权重系数存储在存储器控制器中以用于进一步解码。 | ||
搜索关键词: | 用于 nand 存储 装置 动态 辅助 校正 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性数据存储装置,包括:/n存储器单元,以具有行和列的二维阵列布置,每行与字线相关联并且每列与位线相关联;/n存储器控制器,联接至所述存储器单元以控制所述存储器单元的操作;/n其中所述存储器控制器:/n响应于来自主机的读取命令执行读取操作;/n对来自所述读取操作的数据执行硬解码;/n确定所述硬解码是否成功,其中没有未校正的错误;/n如果所述硬解码成功,则确定所述读取操作成功并且将所述数据提交至所述主机;/n如果所述硬解码不成功,则使用存储在所述存储器控制器中的现有对数似然比LLR值来执行第一软解码;/n确定所述第一软解码是否成功,其中没有未校正的错误;/n如果所述第一软解码成功,则确定所述读取操作成功并且将所述数据提交至所述主机;/n如果所述第一软解码不成功,则:/n使用考虑来自相邻存储器单元的影响的来自所述相邻存储器单元的LLR值和现有权重系数来更新现有LLR值;/n使用更新后的LLR值执行第二软解码,/n确定所述第二软解码是否成功,其中没有未校正的错误;/n如果所述第二软解码不成功,则确定所述读取操作已经失败;/n如果所述第二软解码成功,则:/n确定所述解码成功;/n将经解码的数据提交至所述主机;/n执行权重系数的递归更新以反映来自相邻存储器单元的更新后的影响;以及/n将递归更新后的权重系数存储在所述存储器控制器中以用于进一步解码。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910712318.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器